فائل:IvsV IGBT.png

صفحے کے مندرجات دوسری زبانوں میں قابل قبول نہیں ہیں۔
آزاد دائرۃ المعارف، ویکیپیڈیا سے

اصل فائل(1,500 × 1,050 پکسل، فائل کا حجم: 30 کلوبائٹ، MIME قسم: image/png)

یہ فائل ویکی ذخائر کی ہے اور دیگر منصوبوں کے زیر استعمال ہوسکتی ہے۔ فائل کے صفحہ تعارف پر موجود تعارف ذیل میں موجود ہے۔

خلاصہ

تفصیل Static characteristic of a imaginary Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
تاریخ
ماخذ own work, loosely based on model in "Power semiconductor devices" by B. J. Baliga, ISBN 0-534-94098-6
مصنف Cyril BUTTAY
اجازت
(فائل کا دوبارہ استعمال)
as licensed

اجازہ کاری

میں اس کام کا کاپی رائٹ ہولڈر ہوں اور اسے مندرجہ ذیل اجازت ناموں کے تحت شائع کیا ہے:
GNU head آپ کو آزاد سافٹ ویئر فاؤنڈیشن کی جانب سے شائع کردہ جی این یو آزاد مسوداتی اجازت نامہ کی شرائط استعمال کے تحت اس دستاویز کو نقل، تقسیم اور/ یا ترمیم کرنے کی اجازت دی جاتی ہے۔ اس اجازت نامہ کی ایک نقل 'جی این یو آزاد مسوداتی اجازت نامہ کے عنوان سے میسر ہے۔
w:en:Creative Commons
انتساب یکساں شراکت
اس ملف کا لائسنس Creative Commons Attribution-Share Alike 3.0 Unported کے تحط ہے۔
آپ آزاد ہیں:
  • شیئر کرنے – کام کو نقل، تقسیم یا منتقل کرنے کے لیے
  • ریمکس کے لیے – کام منبطق کرنے کے لیے
مندرجہ ذیل شرائط کے تحت:
  • انتساب – آپ کو اس کام کا انتساب مصنف یا اجازت دہندہ کے بتائے گئے طریقہ کے مطابق دینا ہوگا (تاہم یہ انتساب اس طرح نہیں ہونا چاہیے کہ اسے دیکھ کر ایسا محسوس ہو کہ اصل مصنف یا اجازت دہندہ آپ کے یا آپ کے ذریعہ اس کام کے استعمال کرنے کے حامی ہیں)۔
  • یکساں شراکت – اگر آپ اس کام میں کوئی تبدیلی یا ترمیم کرتے ہیں یا اس کام پر مبنی کچھ نیا بناتے ہیں تو اسے بھی آپ اسی یا اس جیسے کسی اجازت نامے کے تحت شائع کر سکتے ہیں۔
This licensing tag was added to this file as part of the GFDL licensing update.
w:en:Creative Commons
انتساب یکساں شراکت
This file is licensed under the Creative Commons Attribution-Share Alike 2.5 Generic, 2.0 Generic and 1.0 Generic license.
آپ آزاد ہیں:
  • شیئر کرنے – کام کو نقل، تقسیم یا منتقل کرنے کے لیے
  • ریمکس کے لیے – کام منبطق کرنے کے لیے
مندرجہ ذیل شرائط کے تحت:
  • انتساب – آپ کو اس کام کا انتساب مصنف یا اجازت دہندہ کے بتائے گئے طریقہ کے مطابق دینا ہوگا (تاہم یہ انتساب اس طرح نہیں ہونا چاہیے کہ اسے دیکھ کر ایسا محسوس ہو کہ اصل مصنف یا اجازت دہندہ آپ کے یا آپ کے ذریعہ اس کام کے استعمال کرنے کے حامی ہیں)۔
  • یکساں شراکت – اگر آپ اس کام میں کوئی تبدیلی یا ترمیم کرتے ہیں یا اس کام پر مبنی کچھ نیا بناتے ہیں تو اسے بھی آپ اسی یا اس جیسے کسی اجازت نامے کے تحت شائع کر سکتے ہیں۔
آپ حسب منشا اجازت نامہ منتخب کر سکتے ہیں۔
 
This plot was created with Gnuplot.

-V{_{th}}=7 V' at 9.8,47 right

set label 4 '6 V' at 9.8,37.5 right set label 5 '5 V' at 9.8,26.5 right set label 6 '4 V' at 9.8,17.4 right set label 7 '3 V' at 9.8,10.5 right set label 8 '2 V' at 9.8,5.5 right set label 9 '1 V' at 9.8,2.5 right

  1. The model is basically that of a mosfet, with a diode in series
  2. Drain current in linear region

linear(vds,vgsvth)=2*vgsvth*vds-vds**2

  1. Drain current in saturation region

saturation(vds,vgsvth)=vgsvth**2

  1. Drain current

draincurrent(vds,vgsvth)=(vds>vgsvth?saturation(vds,vgsvth):linear(vds,vgsvth))

  1. limit between saturation and linear regions

limit(vds)=vds**2

  1. diode forward voltage:

Vf(t,vgsvth)=2*0.026*log(draincurrent(t,vgsvth)/10e-8)

set output "IvsV_IGBT.eps" set parametric set sample 2000

  1. this is totally non physical: we calculate the current in the drain of the mosfet,
  2. then use this value to calculate the voltage drop in the diode, and then plot Vf+voltage
  3. on the x-axis, and the current on the y-axis. Then, I divide the voltage across the MOSFET
  4. by an arbitrary factor (4) to get a steeper curve.

plot [0:40 ][0:10][0:50] Vf(t,1)+t/4,draincurrent(t,1) ls 1 title ,\

	Vf(t,2)+t/4,draincurrent(t,2) ls 1 title ,\
	Vf(t,3)+t/4,draincurrent(t,3) ls 1 title ,\

Vf(t,4)+t/4,draincurrent(t,4) ls 1 title ,\

	Vf(t,5)+t/4,draincurrent(t,5) ls 1 title ,\
	Vf(t,6)+t/4,draincurrent(t,6) ls 1 title ,\
	Vf(t,7)+t/4,draincurrent(t,7) ls 1 title 

}}

Captions

Add a one-line explanation of what this file represents

Items portrayed in this file

عکاسی

28 جون 2006

فائل کا تاریخچہ

کسی خاص وقت یا تاریخ میں یہ فائل کیسی نظر آتی تھی، اسے دیکھنے کے لیے اس وقت/تاریخ پر کلک کریں۔

تاریخ/وقتتھمب نیلابعادصارفتبصرہ
رائج الوقت22:13، 28 جون 2006ءمورخہ 22:13، 28 جون 2006ء کا تھمب نیل1,500 × 1,050 (30 کلوبائٹ)CyrilB~commonswiki{{Information |Description=Static characteristic of a imaginary Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) |Source=own work, loosely based on model in "Power semiconductor devices" by B. J. Baliga, ISBN 0-534-94098-6 |Date=28/06/2006 |Author=Cyril BUTTAY |P

درج ذیل صفحہ اس فائل کو استعمال کر رہا ہے:

فائل کا عالمی استعمال

مندرجہ ذیل ویکیوں میں یہ فائل زیر استعمال ہے: